| 参数项目 | 技术指标 |
| 产品型号 | HYDRON® SE 230A |
| 产品类型 | 单相碱性水基浓缩清洗剂 |
| 物理形态 | 透明均相液体 |
| 推荐稀释浓度 | 15%~30%(去离子水稀释) |
| 表面张力(25℃) | 27.7mN/m(低表面张力配方) |
| pH值(10g/L水溶液) | 9.6 |
| 适用工艺 | 浸没清洗、超声波清洗、底部喷流清洗 |
| 工作温度区间 | 40℃~60℃ |
| 清洗对象 | 引线框架、分立器件、功率模块、功率LED、倒装芯片、CMOS芯片 |
| 核心清洗能力 | 清除助焊剂残渣、去除铜基材表面氧化层 |
| 包装规格 | 25L塑料桶 |
产品基础定位
HYDRON® SE 230A是面向半导体封装行业开发的专用单相水基碱性清洗剂,产品核心适配芯片固晶焊后清洗工序,重点解决各类半导体元器件表面助焊剂残留、铜基材氧化问题。
在半导体封装生产流程中,引线键合、塑封、粘接等工序对基材表面洁净度要求极高,普通清洗剂难以同时完成除残与表面活化,这款药剂针对性解决该行业痛点,广泛应用于高端功率半导体、MEMS、摄像模组生产线。
产品核心性能优势
药剂清洗完成后,能够生成无污点、具备临时活性的铜基材表面,保障引线键合、封装、胶接等后续工序的工艺良率,活化效果可以维持一定存放周期,缓解产线节拍调度压力。
配方充分考量微电子行业敏感金属,对铜、铝、镍材质具备优异兼容性,清洗过程不会引发基材腐蚀、表面变色等不良缺陷,适配各类精密半导体器件。
产品拥有极低表面张力,液体可以渗透进入低间隙元器件的微小毛细缝隙,高效清除元器件底部难以接触的助焊剂残留物,解决高密度封装器件清洗盲区难题。
单相体系配方操作简单,适配浸没式清洗槽工况;清洗完成后,使用常规去离子水即可充分漂洗,不会在器件表面产生离子残留或者固体析出物。
适用场景与污染物类型
该清洗剂主要服务于半导体封装全流程清洗工序,兼容批量自动化产线设备。
典型应用场景包含SiP系统级封装清洗、晶圆级封装清洗、MEMS器件封装清洗、摄像模组清洗、功率电子器件清洗,覆盖引线框架、分立器件、功率模块、功率LED、倒装芯片、CMOS芯片等产品。
主要清除污染物为芯片焊接工序产生的各类助焊剂残渣,同时可同步剥离铜引线框架表面形成的氧化层,一站式完成除残与基材表面活化处理。
清洗工艺使用指引
国内外标准规范说明
产品原厂遵循德国精细化工管控规范进行生产,引入国内市场同时满足GB/T 35759-2017《金属清洗剂》、IPC-7501电子组装清洗行业规范,材料腐蚀指标、清洗洁净度指标均满足半导体制造行业管控要求。
使用前采用去离子水对原液进行稀释,推荐浓度区间15%~30%,可根据污染物轻重调整配比;清洗温度控制在40℃至60℃,优先选用浸没式清洗工艺,搭配超声波振荡能够进一步提升缝隙位置清洗效果。
完整工序分为清洗、多级漂洗、烘干三个阶段,漂洗工序必须采用高纯度去离子水,最大限度降低离子残留风险,保障半导体器件长期可靠性。
选型与日常运维要点
选型阶段优先确认器件基材,产品适合带有铜、铝、镍金属构件的半导体器件;若器件包含特殊敏感塑胶、感光涂层,需要提前开展材料兼容性测试。
日常生产需要定期监测清洗槽药液浓度、pH数值,浓度衰减会直接降低除氧化与缝隙清洗能力;清洗槽配套循环过滤装置,及时滤除剥离的固体残渣,延长药液使用寿命。
原液储存需要密封放置在阴凉避光室内环境,远离强酸、强氧化剂化学品,避免药剂组分发生改变,影响清洗活化性能。
售后保障说明
供货方可提供完整TDS技术数据表、SDS安全数据表,支持第三方实验室开展洁净度、金属腐蚀性、离子残留检测验证。
针对半导体封装产线调试阶段遇到的清洗不良、基材外观问题,可配套提供工艺参数优化方案,稳定封装清洗工序产品良率。
品牌生产实力说明
ZESTRON长期专注电子精密清洗化学品研发制造,工业半导体、电子组装清洗耗材规格齐全,配方工艺稳定,可适配各类半导体封装自动化清洗设备配套需求,全球供货体系完善,技术参数资料完整,能够持续为微电子制造企业提供稳定合规的清洗解决方案。





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